Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.727,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.159,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 34,54Kr. 1.727,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2556
Producentens varenummer:
IPP60R040C7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

107nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

227W

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.57mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Højde

29.95mm

Bilindustristandarder

Nej

600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50 % reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, hvilket giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere. Effektivitet og TCO-programmer (samlede ejeromkostninger) som f.eks. hyperdatacentre og højeffektive telekommunikationsensrettere (>96 %) drager fordel af den højere effektivitet, som CoolMOS™ C7 tilbyder. Der kan opnås forbedringer på 0,3 % til 0,7 % i PFC-topologier og 0,1 % i LLC-topologier. I tilfælde af en 2,5 kW server-PSU, f.eks. ved brug af 600 V CoolMOS™ C7 SJ MOSFET'er i en TO-247 4-benet pakke, kan det medføre en reduktion af energiomkostningerne på ∼10 % for PSU-energitab.

Reducerede parametre for skiftetab som f.eks. Q G, C oss, E oss

Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)

Forøget switching-frekvens

Bedste R (on)*A i verden

Diode med robust hus

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.