Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 2
- RS-varenummer:
- 215-2506P
- Producentens varenummer:
- IPD33CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 86,06
(ekskl. moms)
Kr. 107,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 12.180 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 + | Kr. 4,303 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2506P
- Producentens varenummer:
- IPD33CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOS™ power MOSFET'er tilbyder fremragende løsninger til højeffektiv SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne serie en reduktion på 30 % i både R DS (on) og FOM (Figure of Merit).
N-kanal, normalt niveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri forgyldning
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målanvendelse
Velegnet til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning