Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS Nej
- RS-varenummer:
- 215-2531
- Producentens varenummer:
- IPN80R3K3P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 5.493,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.867,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,831 | Kr. 5.493,00 |
| 6000 + | Kr. 1,739 | Kr. 5.217,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2531
- Producentens varenummer:
- IPN80R3K3P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V Cool MOS™ P7 super-junction MOSFET-serien er perfekt til laveffekt SMPS-anvendelser ved fuldt ud at imødekomme markedets behov for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelse forhold. Den fokuserer primært på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Denne nye produktserie tilbyder op til 0,6 % effektivitetsforøgelse og 2 °C til 8 °C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med forgængeren samt konkurrerende dele, der er testet i typiske flueback-anvendelser. Det muliggør også større effekttæthed gennem lavere skiftetab og bedre DPAK RDS(on)-produkter.
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse op til klasse 2 (HBM)
Klassens bedste kvalitet og pålidelighed
Fuldt optimeret portefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS Nej IPN80R3K3P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS Nej IPN95R2K0P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS Nej IPN80R2K4P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7 Nej