Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 224,92

(ekskl. moms)

Kr. 281,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 970 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 22,492Kr. 224,92
50 - 90Kr. 22,044Kr. 220,44
100 - 240Kr. 20,226Kr. 202,26
250 - 990Kr. 19,822Kr. 198,22
1000 +Kr. 18,401Kr. 184,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
216-9659
Producentens varenummer:
TSM045NB06CR
Brand:
Taiwan Semiconductor
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Taiwan Semiconductor

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

104A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PDFN56

Serie

TSM025

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

104nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Bilindustristandarder

Nej

Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet

Relaterede links