Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9659
- Producentens varenummer:
- TSM045NB06CR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme Kr. 18,00
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 179,94
(ekskl. moms)
Kr. 224,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 970 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 17,994 | Kr. 179,94 | - |
| 50 - 90 | Kr. 17,634 | Kr. 176,34 | Kr. 18,00 |
| 100 - 240 | Kr. 16,177 | Kr. 161,77 | Kr. 181,70 |
| 250 - 990 | Kr. 15,853 | Kr. 158,53 | Kr. 535,25 |
| 1000 + | Kr. 14,719 | Kr. 147,19 | Kr. 3.275,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9659
- Producentens varenummer:
- TSM045NB06CR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 104A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 104nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 104A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 104nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet
Relaterede links
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 104 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 51 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 25 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 35 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 30 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 44 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 107 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 80 A 30 V Forbedring PDFN56, TSM025