Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9686
- Producentens varenummer:
- TSM130NB06CR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 11.910,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.887,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 4,764 | Kr. 11.910,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9686
- Producentens varenummer:
- TSM130NB06CR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.2mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.2mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet
Relaterede links
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 51 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 51 A 40 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 44 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 104 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 107 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025