Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.847,50

(ekskl. moms)

Kr. 11.060,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,539Kr. 8.847,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
216-9684
Producentens varenummer:
TSM110NB04LCR
Brand:
Taiwan Semiconductor
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Taiwan Semiconductor

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TSM025

Emballagetype

PDFN56

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.2mm

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS/WEEE

Bilindustristandarder

Nej

Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet

Relaterede links