Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9712
- Producentens varenummer:
- TSM300NB06DCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 13.182,50
(ekskl. moms)
Kr. 16.477,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 5,273 | Kr. 13.182,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9712
- Producentens varenummer:
- TSM300NB06DCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Længde | 6.2mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.2mm | ||
Længde 6.2mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Højde 1.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet