Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 107 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9660
- Producentens varenummer:
- TSM048NB06LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 216-9660
- Producentens varenummer:
- TSM048NB06LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 107A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 107A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet
Relaterede links
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 107 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 104 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 51 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 28 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 44 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025