Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9672
- Producentens varenummer:
- TSM080N03EPQ56
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 166,65
(ekskl. moms)
Kr. 208,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 6.550 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 3,333 | Kr. 166,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9672
- Producentens varenummer:
- TSM080N03EPQ56
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TSM025 | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 54W | |
| Driftstemperatur maks. | 155°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TSM025 | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 54W | ||
Driftstemperatur maks. 155°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ikke støberier
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet
Relaterede links
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 55 A 30 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 51 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 80 A 30 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 54 A 40 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 25 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 73 A 30 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 67 A 80 V Forbedring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N-Kanal 35 A 60 V Forbedring PDFN56, TSM025