Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9704P
- Producentens varenummer:
- TSM220NB06LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 84,975
(ekskl. moms)
Kr. 106,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.625 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 + | Kr. 3,399 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9704P
- Producentens varenummer:
- TSM220NB06LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.2mm | |
| Bredde | 4.2mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.2mm | ||
Bredde 4.2mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet