Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 217-2506
- Producentens varenummer:
- IPB65R095C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 191,64
(ekskl. moms)
Kr. 239,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 205 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 38,328 | Kr. 191,64 |
| 10 - 20 | Kr. 34,886 | Kr. 174,43 |
| 25 - 45 | Kr. 32,582 | Kr. 162,91 |
| 50 - 120 | Kr. 30,28 | Kr. 151,40 |
| 125 + | Kr. 27,99 | Kr. 139,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2506
- Producentens varenummer:
- IPB65R095C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 129W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.31mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 129W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.31mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS™ C7-serien kombinerer dig erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordele ved et switching super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Forbedret MOSFET dv/dt robusthed
Bedre effektivitet takket være klassens bedste FOMRDS(on) * Eoss og RDS(on) * QG
Klassens bedste RDS(on)/pakke
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Kvalificeret til anvendelser i industriel kvalitet i henhold til JEDEC (J-STD20 ogJESD22)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 57.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS