Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS Nej
- RS-varenummer:
- 217-2505
- Producentens varenummer:
- IPB65R095C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 17.474,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.842,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 17,474 | Kr. 17.474,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2505
- Producentens varenummer:
- IPB65R095C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 129W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 9.45 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.31mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 129W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 9.45 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.31mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS™ C7-serien kombinerer dig erfaring fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordele ved et switching super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Forbedret MOSFET dv/dt robusthed
Bedre effektivitet takket være klassens bedste FOMRDS(on) * Eoss og RDS(on) * QG
Klassens bedste RDS(on)/pakke
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Kvalificeret til anvendelser i industriel kvalitet i henhold til JEDEC (J-STD20 ogJESD22)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R095C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB65R045C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 23 3 ben CoolMOS™ P6 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R060P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 57 3 ben CoolMOS™ P7 IPB65R190CFDAATMA1
- Infineon N-Kanal 15 A 700 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R155CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R090CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R055CFD7ATMA1
