Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P6 Nej
- RS-varenummer:
- 168-5906
- Producentens varenummer:
- IPB60R160P6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 10.355,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.944,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 10,355 | Kr. 10.355,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5906
- Producentens varenummer:
- IPB60R160P6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 176W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 176W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™ E6/P6 serien Power MOSFET
Infineon-sortimentet af CoolMOS™E6 og P6 serien MOSFET'er. Disse meget effektive enheder kan bruges til flere formål, herunder effektfaktorkorrektion (PFC), belysning og forbrugerelektronik enheder samt solfangere, telekommunikation og servere.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 23 3 ben CoolMOS™ P6 IPB60R160P6ATMA1
- Infineon N-Kanal 23 3 ben CoolMOS™ P6 IPP60R160P6XKSA1
- Infineon N-Kanal 23 3 ben CoolMOS™ P6 IPA60R160P6XKSA1
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R095C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB65R045C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R060P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 57 3 ben CoolMOS™ P7 IPB65R190CFDAATMA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ P6 IPP60R099P6XKSA1
