Infineon N-Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-220, CoolMOS P6

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 1.131,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.414,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 22,62Kr. 1.131,00
100 - 200Kr. 21,489Kr. 1.074,45
250 +Kr. 20,132Kr. 1.006,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-5936
Producentens varenummer:
IPP60R099P6XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

37.9A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS P6

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

99mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Bredde

4.57mm

Højde

15.95mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon CoolMOS™ P6 Series MOSFET, 37,9A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 278W maksimal effektafledning - IPP60R099P6XKSA1


Denne MOSFET er skræddersyet til højtydende applikationer med behov for effektiv strømstyring. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 37,9 A og en drain-source-spænding på 650 V udmærker den sig i automatiserings- og elektroniksektoren. Dens N-kanal-konfiguration i enhancement mode giver mulighed for effektiv switching, hvilket gør den til en foretrukken løsning for fagfolk i den elektriske og mekaniske industri.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) på 99mΩ forbedrer skifteeffektiviteten

• Kan aflede op til 278 W for øget holdbarhed

• Fungerer godt under høje temperaturer på op til +150 °C

• ESD-beskyttelse over 2kV sikrer pålidelig drift

• Velegnet til både hårde og bløde skift

• Pakket i TO-220 for fleksible monteringsmuligheder

Anvendelsesområder


• Bruges i PFC-trin for effektiv strømkonvertering

• Kan anvendes i hard-switching PWM-trin for at øge ydeevnen

• Ideel til resonanskoblingstrin i forskellige elektroniske produkter

• Bruges i adaptere og strømforsyninger til elektroniske enheder

• Effektiv i industrielle automatiseringssystemer, der kræver høj effekt

Hvad er det passende gate-source-spændingsområde til drift?


Det passende gate-source-spændingsområde for drift er -30V til +30V, hvilket sikrer sikker og effektiv switching.

Hvordan gavner den lave RDS(on)-værdi strømeffektiviteten?


Den lave modstand forbedrer energieffektiviteten ved at reducere ledningstab, hvilket fører til mindre varmeudvikling under drift.

Hvad er det maksimale strømforbrug under brug?


Den maksimale effektafledningskapacitet under drift er 278 W, hvilket giver en robust ydeevne under udfordrende forhold.

Er der nogen særlige overvejelser i forbindelse med at bruge denne komponent i parallelle konfigurationer?


Ved parallel brug anbefales det at bruge ferritperler på gaten eller separate totempæle for at optimere ydeevnen og minimere svingninger.

Hvilke varmestyringsmetoder bør implementeres?


Effektiv varmestyring omfatter korrekt varmeafledning og overvågning af temperaturen under drift for at holde ydeevnen inden for de angivne grænser.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.