Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 87 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- RS-varenummer:
- 220-7370
- Producentens varenummer:
- IPA60R125P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 56,92
(ekskl. moms)
Kr. 71,16
(inkl. moms)
Tilføj 22 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 244 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 28,46 | Kr. 56,92 |
| 10 - 18 | Kr. 24,985 | Kr. 49,97 |
| 20 - 48 | Kr. 23,34 | Kr. 46,68 |
| 50 - 98 | Kr. 21,955 | Kr. 43,91 |
| 100 + | Kr. 15,635 | Kr. 31,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7370
- Producentens varenummer:
- IPA60R125P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 87A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 87A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Cool MOS P6 super-junction MOSFET-serien er designet til at give højere systemeffektivitet, samtidig med at den er nem at designe i. Cool MOS P6 lukker kløften mellem teknologier, der fokuserer på at levere ultimativ ydeevne, og dem, der fokuserer mere på brugervenlighed.
Reduceret gate-opladning (Q g)
Højere V
God robusthed med husdiode
Optimeret integreret R g
Forbedret dv/dt fra 50 V/ns
Forbedret effektivitet, især ved let belastning
Bedre effektivitet i anvendelser med bløde omskiftning på grund af tidligere slukning
Velegnet til hård og blød skiftende topologier
Optimeret balance mellem effektivitet, brugervenlighed og god kontrol af omskiftelighed
Høj robusthed og bedre effektivitet
Enestående kvalitet og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 87 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 109 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 78 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
