Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- RS-varenummer:
- 145-8600
- Producentens varenummer:
- IPW60R190P6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (30 enheder, i en tube med 30)*
Kr. 557,40
(ekskl. moms)
Kr. 696,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 18,58 | Kr. 557,40 |
| 60 - 120 | Kr. 17,653 | Kr. 529,59 |
| 150 - 270 | Kr. 16,907 | Kr. 507,21 |
| 300 - 570 | Kr. 16,167 | Kr. 485,01 |
| 600 + | Kr. 15,05 | Kr. 451,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8600
- Producentens varenummer:
- IPW60R190P6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 151W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 151W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.21mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS™ E6/P6 serien Power MOSFET
Infineon-sortimentet af CoolMOS™E6 og P6 serien MOSFET'er. Disse meget effektive enheder kan bruges til flere formål, herunder effektfaktorkorrektion (PFC), belysning og forbrugerelektronik enheder samt solfangere, telekommunikation og servere.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 109 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 13.8 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 53.5 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 30 A 650 V Forbedring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 23.8 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 87 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6