Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 30 A 650 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, CoolMOS P6
- RS-varenummer:
- 220-7435
- Producentens varenummer:
- IPL60R360P6SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 89,76
(ekskl. moms)
Kr. 112,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 9.960 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,976 | Kr. 89,76 |
| 50 - 90 | Kr. 8,527 | Kr. 85,27 |
| 100 - 240 | Kr. 8,168 | Kr. 81,68 |
| 250 - 490 | Kr. 7,809 | Kr. 78,09 |
| 500 + | Kr. 7,271 | Kr. 72,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7435
- Producentens varenummer:
- IPL60R360P6SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon nye Cool MOS Thin PAK 5x6 er et blyfri SMD-hus, der er specielt designet til højspændings MOSFET'er. Denne nye pakke har et meget lille bundareal på 5x6 mm 2 og en meget lav profil med kun 1 mm højde. Denne betydeligt mindre pakkestørrelse kombineret med dens benchmark lave parasitære induktanser kan bruges som en ny og effektiv måde at reducere systemløsningens størrelse i effekttæthedsdrevne konstruktioner. Thin PAK 5x6-pakken er kendetegnet ved en meget lav kildemvinduktion på 1,6 nH samt en tilsvarende termisk ydelse som DPAK. Pakken muliggør derfor hurtigere og dermed mere effektiv omskiftning af effekt-MOSFET'er og er nemmere at håndtere med hensyn til switching-adfærd og EMI.
Ekstremt lavt tab pga. meget lavt FOMRdson * QG og Eoss
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri, halogenfri støbemasse
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 87 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 109 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6