Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7 Nej IPL60R185CFD7AUMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 91,55

(ekskl. moms)

Kr. 114,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 18,31Kr. 91,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2522
Producentens varenummer:
IPL60R185CFD7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Emballagetype

ThinPAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

185mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

85W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

8.1mm

Bredde

1.1 mm

Længde

8.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 er den nyeste højspændings super-junction MOSFET-teknologi med integreret hurtig husdiode, der fuldender Cool MOS™ 7 serien. Cool MOS™ CFD7 leveres med reduceret gate charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery charge (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne, samt den laveste reverse recovery time (trr) på markedet.

Ultra-hurtig husdiode

Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)

Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt

Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss

Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer

Relaterede links