Infineon N-Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7
- RS-varenummer:
- 219-5979
- Producentens varenummer:
- IPA60R280CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 111,30
(ekskl. moms)
Kr. 139,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,26 | Kr. 111,30 |
| 50 - 120 | Kr. 18,94 | Kr. 94,70 |
| 125 - 245 | Kr. 17,564 | Kr. 87,82 |
| 250 - 495 | Kr. 16,456 | Kr. 82,28 |
| 500 + | Kr. 15,154 | Kr. 75,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-5979
- Producentens varenummer:
- IPA60R280CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS CFD7 er Infineons nyeste højspændings superjunction MOSFET-teknologi med integreret hurtig body-diode, der fuldender CoolMOS 7 serien. CoolMOS CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret slukfunktion og en reverse recovery charge (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne, samt den laveste reverse recovery time (trr) på markedet.
Ultrahurtig husdiode
Klassens bedste reverse recovery charge (Qrr)
Forbedret bakdiode dv/dt og dif/dt robusthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP
- Infineon N-Kanal 31 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 14 A 650 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 77.5 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
