Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7 Nej IPW60R055CFD7XKSA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 110,79

(ekskl. moms)

Kr. 138,488

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 55,395Kr. 110,79
10 - 18Kr. 47,575Kr. 95,15
20 - 48Kr. 44,245Kr. 88,49
50 - 98Kr. 41,55Kr. 83,10
100 +Kr. 38,225Kr. 76,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2564
Producentens varenummer:
IPW60R055CFD7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

CoolMOS CFD7

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

178W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 er Infineons nyeste højspændings super-junction MOSFET-teknologi med integreret hurtig bodeleddiode, der fuldender Cool MOS™ 7 serien. Cool MOS™ CFD7 leveres med reduceret gate charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery charge (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne, samt den laveste reverse recovery time (trr) på markedet.

Ultra-hurtig husdiode

Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)

Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt

Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss

Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer

Relaterede links