Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7
- RS-varenummer:
- 214-9115
- Producentens varenummer:
- IPW60R125CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 190,81
(ekskl. moms)
Kr. 238,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 38,162 | Kr. 190,81 |
| 10 - 20 | Kr. 32,06 | Kr. 160,30 |
| 25 - 45 | Kr. 30,16 | Kr. 150,80 |
| 50 - 120 | Kr. 27,856 | Kr. 139,28 |
| 125 + | Kr. 25,97 | Kr. 129,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9115
- Producentens varenummer:
- IPW60R125CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Bredde 5.21mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS-serien er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste CoolMOS CFD7 er efterfølgeren til CoolMOS CFD2-serien og er en optimeret platform, der er skræddersyet til bløde switching-applikationer som f.eks. Phase-SHIFT full-bridge (ZVS) og LLC. CoolMOS CFD7-teknologien opfylder de højeste standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed. CoolMOS CFD7 gør i alt resonante skiftende topologier mere effektive, mere pålidelige, lettere og mere køligere.
Ultra-hurtig husdiode
Lav portopladning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 63 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 31 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7