Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 217-2521P
- Producentens varenummer:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 316,60
(ekskl. moms)
Kr. 395,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.450 enhed(er) afsendes fra 04. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 200 | Kr. 3,166 |
| 250 - 450 | Kr. 2,962 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,759 |
| 1250 + | Kr. 2,557 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2521P
- Producentens varenummer:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 49W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 49W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- 1-AR40-10-48 | Air 110k/tm, Diameter: 1170mm Air 40 48V
- 500-181-30 | Mitutoyo 150mm Digital Skydelære, Metrisk
- 1-AR40-10-24 | Air 110k/tm, Diameter: 1170mm Air 40 24V
- RS PRO Aluminium Stiverprofil L: 1000mm, 40 x 40 mm
- Varmeisolerende plade Aerogel Miroporøst tæppe, 1m x 700mm x 10mm
- RS PRO Kabelsko/Crimpterminaler i sæt
- Arduino Tinkerkit Braccio robot
- RS PRO Rustfrit stål