Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS 7
- RS-varenummer:
- 217-2560
- Producentens varenummer:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 217-2560
- Producentens varenummer:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS 7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 64W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 29.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS 7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 64W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 29.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies.
Ultra-hurtig husdiode
Lav portopladning
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)
Forbedret MOSFET omvendt diode dv/dt og DIF/dtruggenheden
Laveste FOMRDS(til) * QG og RDS(til) * Eoss
Klassens bedste RDS(on) i SMD- og THD-huse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS 7
- Infineon N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7