Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFD7 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 786,30

(ekskl. moms)

Kr. 982,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 15,726Kr. 786,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-9089
Producentens varenummer:
IPP60R090CFD7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS CFD7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.57 mm

Højde

9.45mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS-serien er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste CoolMOS CFD7 er efterfølgeren til CoolMOS CFD2-serien og er en optimeret platform, der er skræddersyet til bløde switching-applikationer som f.eks. Phase-SHIFT full-bridge (ZVS) og LLC. CoolMOS CFD7-teknologien opfylder de højeste standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed. CoolMOS CFD7 gør i alt resonante skiftende topologier mere effektive, mere pålidelige, lettere og mere køligere.

Ultra-hurtig husdiode

Lav portopladning

Relaterede links