Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 120,15

(ekskl. moms)

Kr. 150,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 1,602Kr. 120,15
150 - 300Kr. 1,202Kr. 90,15
375 - 675Kr. 1,121Kr. 84,08
750 - 1800Kr. 1,041Kr. 78,08
1875 +Kr. 0,961Kr. 72,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2576
Producentens varenummer:
IPS60R3K4CEAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.4Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.7nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.4 mm

Højde

9.82mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links