Infineon N-Kanal, MOSFET, 5,1 A 55 V, 8 ben, SO-8, HEXFET IRF7341GTRPBF

Infineon HEXFET ® Power MOSFET'er i et dobbelt SO-8 hus anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner i disse HEXFET Power MOSFET'er er en driftstemperatur for 175 °C saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering. Disse fordele gør dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række andre anvendelser. 175 °C mærkeværdien for SO-8-pakken giver forbedret termisk ydelse med øget sikkert driftsområde, og dobbelt MOSFET-kæbekapacitet gør den ideel til en lang række anvendelser. Denne dobbelte, overflademonterede SO-8 kan reducere kortpladsen markant og fås også i tape og rulle.

Avanceret procesteknologi
Dobbelt N-kanals MOSFET
Ekstremt lav modstand ved tændt
175 °C driftstemperatur
Repetitive Avalanche tilladt op til Tjmax
Blyfri