Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 140 A 30 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2638P
- Producentens varenummer:
- IRL3803STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 660,50
(ekskl. moms)
Kr. 825,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. maj 2028
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 13,21 |
| 100 - 240 | Kr. 12,664 |
| 250 - 490 | Kr. 12,11 |
| 500 + | Kr. 11,265 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2638P
- Producentens varenummer:
- IRL3803STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 140A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.88mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 140A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.88mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 30 V enkelt N-kanal IR MOSFET i et D2-Pak hus.
Planar cellestruktur for bred optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz
Industristandard overflademonteret strømpakke
Hus med stor strømbelastningsevne (op til 195 A, afhængigt af størrelse)
Kan bølgelloddes