Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-2988P
- Producentens varenummer:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 948,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.185,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.805 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 18,97 |
| 125 - 245 | Kr. 17,788 |
| 250 - 495 | Kr. 16,68 |
| 500 + | Kr. 15,528 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2988P
- Producentens varenummer:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-5 | |
| Serie | IAUA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PG-HSOF-5 | ||
Serie IAUA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ -5 serien N-kanal power MOSFET. Den bruges til brug i biler.
N-kanal - forbedringstilstand - normalt niveau
MSL3 op til 260 °C peak reflow
175 °C driftstemperatur
100 % lavine-testet