Infineon N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- RS-varenummer:
- 218-2997
- Producentens varenummer:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 169,20
(ekskl. moms)
Kr. 211,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 440 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 33,84 | Kr. 169,20 |
| 10 - 20 | Kr. 29,456 | Kr. 147,28 |
| 25 - 45 | Kr. 27,406 | Kr. 137,03 |
| 50 - 120 | Kr. 25,372 | Kr. 126,86 |
| 125 + | Kr. 23,696 | Kr. 118,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2997
- Producentens varenummer:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.65mm | |
| Højde | 29.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.65mm | ||
Højde 29.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 seriens N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ CFD7-teknologien opfylder de højeste standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed.
Ultra-hurtig husdiode
Lav portopladning
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)