Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-3033P
- Producentens varenummer:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 118,48
(ekskl. moms)
Kr. 148,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 950 enhed(er) afsendes fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 23,696 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3033P
- Producentens varenummer:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET. Den har lave skift- og ledningstab for høj termisk effektivitet.
N-kanal - forbedringstilstand
175 °C driftstemperatur
100 % lavine-testet