Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 218-3086
- Producentens varenummer:
- IPW60R180P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 387,75
(ekskl. moms)
Kr. 484,68
(inkl. moms)
Tilføj 60 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 240 enhed(er) afsendes fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 12,925 | Kr. 387,75 |
| 60 - 120 | Kr. 12,28 | Kr. 368,40 |
| 150 - 270 | Kr. 11,761 | Kr. 352,83 |
| 300 - 570 | Kr. 11,245 | Kr. 337,35 |
| 600 + | Kr. 10,47 | Kr. 314,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3086
- Producentens varenummer:
- IPW60R180P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 72W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 72W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS™-serien N-kanal Power MOSFET. 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen.
Velegnet til hård og blød kobling (PFC og LLC) på grund af en enestående robusthed i forbindelse med kommutation
Betydelig reduktion af koblings- og ledningstab
Fremragende ESD robusthed >2 kV (HBM) for alle produkter
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 76 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 34 A 600 V TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-252, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS P7
