Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247, 800V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 218-3092
- Producentens varenummer:
- IPW80R360P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,64
(ekskl. moms)
Kr. 104,55
(inkl. moms)
Tilføj 35 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 230 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,728 | Kr. 83,64 |
| 25 - 45 | Kr. 15,056 | Kr. 75,28 |
| 50 - 120 | Kr. 14,052 | Kr. 70,26 |
| 125 - 245 | Kr. 13,058 | Kr. 65,29 |
| 250 + | Kr. 12,22 | Kr. 61,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3092
- Producentens varenummer:
- IPW80R360P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 84W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 84W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-kanal effekt MOSFET. Den er velegnet til hårde og bløde flyback topologier til LED-belysning, laveringslys og adaptere, audio, AUX-strøm og industriel strøm.
Klassens bedste ydeevne
Integreret Zener diode ESD-beskyttelse
Fuldt optimeret portefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V TO-247, 800V CoolMOS P7
- Infineon 4 A 800 V PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7