Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- RS-varenummer:
- 219-6016
- Producentens varenummer:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.626,45
(ekskl. moms)
Kr. 2.033,07
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 54,215 | Kr. 1.626,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6016
- Producentens varenummer:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 183nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.21mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 183nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.21mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 i 600 V er ideelt egnet til resonante topologier i højtydende SMPS, som f.eks. server-, telekommunikations- og EV-opladningsstationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET-serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret slukfunktion og op til 69 % reduceret reverse-gendannelsesafgift sammenlignet med konkurrenterne.
Ultrahurtig husdiode
Klassens bedste reverse recovery charge (Qrr)
Forbedret bakdiode dv/dt og dif/dt robusthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 360 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon Type N-Kanal 236 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon Type N-Kanal 77.5 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 111 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 99.6 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7