Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 99.6 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 220-7462
- Producentens varenummer:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 107,86
(ekskl. moms)
Kr. 134,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 136 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 53,93 | Kr. 107,86 |
| 10 - 18 | Kr. 48,545 | Kr. 97,09 |
| 20 - 48 | Kr. 45,33 | Kr. 90,66 |
| 50 - 98 | Kr. 42,60 | Kr. 85,20 |
| 100 + | Kr. 39,345 | Kr. 78,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7462
- Producentens varenummer:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 118nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 277.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 118nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 277.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.21mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650V Cool MOS CSDA Super Junction (SJ) MOSFET er Infineons anden generation af markedets førende automotive kvalificerede Cool MOS power MOSFET'er med høj spænding. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver 650V Cool MOS CFD-serien også en integreret hurtig diode.
Første 650 V godkendt teknologi til brug i biler med integreret fast body-diode på markedet
Begrænset spændingsoverskridelse under hård kommutation – selvbegrænsende di/dt og dv/dt
Lav gate-opladningsværdi Q g
Lav Q rr ved gentagen kommutation på kropsdiode og Lav Q oss
Reduceret tænd- og tænd-tid
Øget sikkerhedsmargen på grund af højere gennemslagsspænding
Reduceret EMI-udseende og nem at designe i.
Bedre effektivitet ved let belastning
Lavere skiftetab
Højere skiftefrekvens og/eller højere driftscyklus er mulig
Høj kvalitet og pålidelighed