Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-6021P
Producentens varenummer:
IPW60R037CSFDXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

236A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

136nC

Effektafsættelse maks. Pd

245W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.13mm

Højde

5.21mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET er en optimeret enhed, der er skræddersyet til at håndtere off-board EV-ladesegmentet. Takket være den lave gate Charge (QG) og den forbedrede kontaktadfærd giver den højeste effektivitet på det målrettede marked. Derudover leveres den sammen med en integreret, hurtig husdiode og kraftigt reduceret genvindingsladning (Qrr), der fører til den højeste pålidelighed i resonante topologier. På grund af disse funktioner opfylder IPW60R037CSFD de indbyggede EV-ladestations standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed.

Ultrahurtig husdiode

Klassens bedste reverse recovery charge (Qrr)

Forbedret bakdiode dv/dt og dif/dt robusthed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.