Infineon N-Kanal, MOSFET, 236 A. 650 V, 3 ben, TO-247, CoolMOS CSFD IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET er en optimeret enhed, der er skræddersyet til at håndtere off-board EV-ladesegmentet. Takket være den lave gate Charge (QG) og den forbedrede kontaktadfærd giver den højeste effektivitet på det målrettede marked. Derudover leveres den sammen med en integreret, hurtig husdiode og kraftigt reduceret genvindingsladning (Qrr), der fører til den højeste pålidelighed i resonante topologier. På grund af disse funktioner opfylder IPW60R037CSFD de indbyggede EV-ladestations standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed.

Ultrahurtig husdiode
Klassens bedste reverse recovery charge (Qrr)
Forbedret bakdiode dv/dt og dif/dt robusthed