Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 100 A 650 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7

RS-varenummer:: 220-7432
Producentens varenummer:: IPL60R105P7AUMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 100 A 650 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 40.188,00

(ekskl. moms)

Kr. 50.235,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. juli 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 13,396	Kr. 40.188,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 220-7432
Producentens varenummer:: IPL60R105P7AUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET og Diode
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	CoolMOS P7
	Emballagetype	VSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	5
	Drain source modstand maks. Rds	105mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	45nC
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Effektafsættelse maks. Pd	137W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	8.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	8.1mm
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET og Diode
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie CoolMOS P7
	Emballagetype VSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 5
	Drain source modstand maks. Rds 105mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Min. driftstemperatur -40°C
	Effektafsættelse maks. Pd 137W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 8.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 8.1mm
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPL60R105P7AUMA1

Infineon CoolMOS P7 seriens MOSFET og diode, 650 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPL60R105P7AUMA1

Denne MOSFET og diode er en højspændings-effektomskiftningsenhed, der er designet til overflademonterede anvendelser i strømkonverterings- og omskiftningskontekster. Den kombinerer en N-kanal-forstærkningstransistor med en integreret diode til at håndtere høje drain-source-spændinger og betydelige kontinuerlige strømme, mens den fungerer over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 105 mΩ maks. Rds(on) reducerer ledningstab i effekttrin
• 137 W maks. effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 45 nC typisk portladning ved Vgs 20 V balancerer krav til drev
• VSON 5-benet hus understøtter kompakt overflademonteret integration

Anvendelser

• Velegnet til SMPS-switching på primær side i højspændingsomformere
• Ideel til offline strømforsyninger, der kræver en højspændings MOSFET-diode
• Anvendes til synkron ensretning i højeffektskonverterdesign
• Kan bruges til industrielle motordrev, front-end-trin
• Velegnet til DC-DC-konvertere, der håndterer betydelig kontinuerlig strøm

Hvilket gate-drive-spændingsområde er tilladt for sikker drift?

Enheden accepterer gate-source-spændinger på op til 20 V, mens den fungerer som en N-kanal-enhed med forstærkning.

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Den er specificeret til kontinuerlig drift fra -40 °C op til 150 °C.

Hvordan påvirker pakken montering og layout?

VSON 5-benet pakke til overflademontering muliggør lavprofilsmontering og nem printlodning til kompakte enheder.

Hvad er det typiske skifteopladningsbudget, som designere skal have til gate-drivere?

Forvent en typisk samlet gate-ladning på ca. 45 nC ved den nominelle gate-spænding, hvilket informerer om beregninger af driverstrøm og koblingstab.