Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 16 A 650 V, 3 ben, SOT-223, CoolMOS™ P7 IPN60R600P7SATMA1

Infineon Cool MOS P7 super junction (SJ) MOSFET er designet til at håndtere typiske udfordringer på SMPS-markedet med lavt strømforbrug, ved at tilbyde fremragende ydeevne og brugervenlighed, hvilket muliggør forbedrede formfaktorer og priskonkurrenceevne. SOT-223-pakken er et omkostningseffektivt en-til-en-drop-in alternativ til DPAK, der også muliggør reduktion af fodaftryk i visse design. Den kan placeres på et typisk DPAK-bundareal og viser sammenlignelig termisk ydelse. Denne kombination gør Cool MOS P7 i SOT-223 til den perfekte løsning til dens formål. 700V og 800V Cool MOS P7 er optimeret til flyback topologier. 600V Cool MOS P7 SJ MOSFET er velegnet til både hårde og skiftende topologier (Fly back, PFC og LLC).

Brugervenlighed og hurtigt design - takket være en lav ringende tendens og brug
 På tværs af PFC- og PWM-trin
Forenklet termisk styring på grund af lav kobling og ledning
 tab
Løsninger med øget effekttæthed, der er aktiveret ved brug af produkt-swith
 Mindre fodtryk og højere produktionskvalitet takket være>2 kVESD
 beskyttelse
Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder