Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 97 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 220-7454
- Producentens varenummer:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 74,87
(ekskl. moms)
Kr. 93,588
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 37,435 | Kr. 74,87 |
| 20 - 48 | Kr. 33,695 | Kr. 67,39 |
| 50 - 98 | Kr. 31,455 | Kr. 62,91 |
| 100 - 198 | Kr. 29,585 | Kr. 59,17 |
| 200 + | Kr. 27,34 | Kr. 54,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7454
- Producentens varenummer:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 97A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 97A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V Cool MOS CFD7 er Infineons nyeste højspændings super-junction MOSFET-teknologi med integreret hurtig booddiode, der fuldender Cool MOS 7 serien. COOL MOS CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.
Ultra-hurtig husdiode
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)
Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt
Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss
Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer
Klassens bedste hårde sammenkommutationsrobusthed
Højeste pålidelighed for resonante topologier
Højeste effektivitet med enestående brugervenlighed/ydeevne-afhandel
Muliggør løsninger med øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 97 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 97 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 99.6 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 109 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 77.5 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 111 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS