Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 109 A 650 V, 3 ben, TO-247, CoolMOS™ P6 IPW60R099P6XKSA1

Infineons Cool MOS P6 super-junction MOSFET-serie er designet til at give højere systemeffektivitet, samtidig med at den er nem at designe i. Cool MOS P6 lukker kløften mellem teknologier, der fokuserer på at levere ultimativ ydeevne, og dem, der fokuserer mere på brugervenlighed.

Reduceret gate-opladning (Q g)
Højere V
God robusthed med husdiode
Optimeret integreret R g
Forbedret dv/dt fra 50 V/ns
Cool MOS™-kvalitet med mere end 12 års produktionserfaring i. super junction-teknologi
Forbedret effektivitet, især ved let belastning
Bedre effektivitet i anvendelser med bløde omskiftning på grund af tidligere slukning
Velegnet til hård og blød skiftende topologier
Optimeret balance mellem effektivitet, brugervenlighed og god kontrol af omskiftelighed
Høj robusthed og bedre effektivitet
Enestående kvalitet og pålidelighed