Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 40 A 40 V, 8 ben, PQFN 3 x 3, OptiMOS™ IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon tilbyder et bredt udvalg af 20 V-40 V N-kanal automotive kvalificerede power MOSFET'er ved hjælp af den nye OptiMOS teknologi i en række pakker, der opfylder en række behov og opnår RDS(on) ned til 0,6 mdoven. Den nye OptiMOS 6 og Optimos5 40 V benchmarks MOSFET-teknologi muliggør lave ledningstab (Bedst i klasse RDSon-ydelse), lavt skiftetab (forbedret skifteadfærd), forbedret diodegenvinding og EMC-adfærd. Denne MOSFET-teknologi bruges i de mest Advanced og innovative pakker for at opnå den bedste produktydeevne og kvalitet. For ultimativ designfleksibilitet fås MOSFET'er, der er godkendt til brug i biler, i en række forskellige pakker, så de opfylder en række behov. Infineon tilbyder kunderne en konstant strøm af forbedringer i strømkapacitet, skifteadfærd, pålidelighed, husstørrelse og overordnet kvalitet. Den nyudviklede integrerede half-bridge er en innovativ og omkostningseffektiv pakkeløsning til motordrev og karosseri.

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
N-kanal - forbedringstilstand - logikniveau
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur