Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 86 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 220-7496P
- Producentens varenummer:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 716,60
(ekskl. moms)
Kr. 895,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.640 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 180 | Kr. 7,166 |
| 200 - 480 | Kr. 6,867 |
| 500 - 980 | Kr. 6,56 |
| 1000 + | Kr. 6,119 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7496P
- Producentens varenummer:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS N-kanal effekt MOSFET'er er udviklet til at øge effektivitet, effekttæthed og omkostningseffektivitet. OptiMOS-produkter, der er designet til højtydende anvendelser og optimeret til høj switching-frekvens, overbeviser med branchens bedste resultater. OptiMOS Power MOSFET-porteføljen, der nu suppleres af stærk IRFET, skaber en virkelig kraftfuld kombination. Nyd godt af et perfekt match af robust og fremragende pris/ydeevne fra stærke IRFET MOSFET'er og klassens bedste teknologi fra OptiMOS MOSFET'er. Begge produktfamilier lever op til de højeste kvalitetsstandarder og krav til ydeevne. Den samlede portefølje, der dækker spændinger fra 12 V op til 300 V MOSFET'er, kan imødekomme en lang række behov fra lave til høje switching-frekvenser som f.eks. SMPS, batteridrevne anvendelser, motorstyring og drev, invertere og databehandling.
Brancheførende kvalitet
Lav RDS(ON) ved 4,5 V VGS
Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke
Ultra-lav gate-impedans