Infineon P-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 5,6 A 20 V, 2 ben, D2PAK (TO-263), HEXFET IRLMS6802TRPBF

Infineon P-kanal MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced processing Techniques for at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium område. Denne fordel giver designeren en ekstremt effektiv enhed til anvendelse batteri- og belastningshåndteringsanvendelser. Micro6-pakken med dens tilpassede ledningsramme producerer en HEXFET ® power MOSFET med RDS(on) 60 % mindre end en tilsvarende størrelse SOT-23. Denne pakke er velegnet til anvendelser, hvor printkortpladsen er begrænset. Det unikke termiske design og RDS(on) reduktion muliggør en strømhåndtering på næsten 300 % sammenlignet med SOT-23.

Ekstremt lav modstand ved tændt
P-kanal MOSFET
Overflademontering
Fås i tape og rulle
Blyfri