onsemi N-Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN019N
- RS-varenummer:
- 221-6708P
- Producentens varenummer:
- NTH4LN019N65S3H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.736,10
(ekskl. moms)
Kr. 2.170,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 422 enhed(er) afsendes fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 173,61 |
| 100 + | Kr. 150,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6708P
- Producentens varenummer:
- NTH4LN019N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH4LN019N | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 282nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 625W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 22.74mm | |
| Standarder/godkendelser | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH4LN019N | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 282nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 625W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 22.74mm | ||
Standarder/godkendelser These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Længde 15.8mm | ||
Bredde 5.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet 2495 pF
100 % avalanche-testet