onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL067N
- RS-varenummer:
- 221-6714
- Producentens varenummer:
- NTHL067N65S3H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 87,44
(ekskl. moms)
Kr. 109,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 284 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 43,72 | Kr. 87,44 |
| 20 - 198 | Kr. 37,70 | Kr. 75,40 |
| 200 + | Kr. 32,69 | Kr. 65,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6714
- Producentens varenummer:
- NTHL067N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTHL067N | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 266W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTHL067N | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 266W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet 691 pF
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL067N
- onsemi Type N-Kanal 75 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 65 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 75 A 650 V Forbedring TO-247, FCH
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL