onsemi N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL095N
- RS-varenummer:
- 221-6716
- Producentens varenummer:
- NTHL095N65S3H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 135,91
(ekskl. moms)
Kr. 169,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 310 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 67,955 | Kr. 135,91 |
| 20 - 198 | Kr. 62,905 | Kr. 125,81 |
| 200 + | Kr. 61,45 | Kr. 122,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6716
- Producentens varenummer:
- NTHL095N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTHL095N | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 41.34mm | |
| Bredde | 4.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTHL095N | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 41.34mm | ||
Bredde 4.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet 522 pF
100 % avalanche-testet