onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL Nej

RS-varenummer:: 178-4256
Producentens varenummer:: NTHL110N65S3F
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 945,78

(ekskl. moms)

Kr. 1.182,24

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 390 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
30 - 90	Kr. 31,526	Kr. 945,78
120 - 240	Kr. 27,586	Kr. 827,58
270 - 480	Kr. 26,863	Kr. 805,89
510 - 990	Kr. 26,197	Kr. 785,91
1020 +	Kr. 25,537	Kr. 766,11

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-4256
Producentens varenummer:: NTHL110N65S3F
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	30A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	NTHL
	Emballagetype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	110mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	240W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	58nC
	Portkildespænding maks.	30 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4.82 mm
	Længde	15.87mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	20.82mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie NTHL
	Emballagetype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 110mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 240W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC
	Portkildespænding maks. 30 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4.82 mm
	Længde 15.87mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 20.82mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL Nej

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links