onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL Nej NTHL033N65S3HF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 75,70

(ekskl. moms)

Kr. 94,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 411 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 75,70
10 +Kr. 65,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
189-0397
Producentens varenummer:
NTHL033N65S3HF
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTHL

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

188nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Højde

20.82mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.82 mm

Bilindustristandarder

Nej

SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.

700 V ved TJ = 150 °C

Opladning af ultralav port (Typ. QG = 188 NC)

Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 1568 pF)

Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)

Optimeret kapacitet

Typ. RDS(on) = 28 mΩ

Fordele

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb

Lavere skiftetab

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Anvendelsesområder

Telekommunikation

Cloud-system

Industriel

Slutprodukter

Telekommunikations-strøm

Serverstrøm

Elbil-lader

Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)

Relaterede links