onsemi N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-varenummer:
- 178-4486
- Producentens varenummer:
- NTHL110N65S3F
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 132,10
(ekskl. moms)
Kr. 165,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 406 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 66,05 | Kr. 132,10 |
| 20 + | Kr. 56,96 | Kr. 113,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4486
- Producentens varenummer:
- NTHL110N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS