onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-varenummer:
- 178-4486
- Producentens varenummer:
- NTHL110N65S3F
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 74,26
(ekskl. moms)
Kr. 92,82
(inkl. moms)
Tilføj 14 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 408 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 37,13 | Kr. 74,26 |
| 20 + | Kr. 31,97 | Kr. 63,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4486
- Producentens varenummer:
- NTHL110N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.82mm | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 75 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 65 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL