onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 37.2 A 150 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, NTTFS
- RS-varenummer:
- 221-6750
- Producentens varenummer:
- NTTFS022N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 144,21
(ekskl. moms)
Kr. 180,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 14,421 | Kr. 144,21 |
| 100 - 240 | Kr. 12,432 | Kr. 124,32 |
| 250 + | Kr. 10,779 | Kr. 107,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6750
- Producentens varenummer:
- NTTFS022N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 37.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | NTTFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 37.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie NTTFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71.4W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor industriel effekt MOSFET i et 3,3x3,3 mm fladt blyhus, der er designet til kompakte og effektive designs og forbedrer ledetab.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav kapacitet for at minimere tab af driver
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 37.2 A 150 V Forbedring WDFN, NTTFS
- onsemi Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 40 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 45 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 12 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi 1 Type N MOSFET 8 Ben PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 22 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 68 A 80 V Forbedring WDFN, NTTFS6H850N