DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2828
- Producentens varenummer:
- DMN2310UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 798,00
(ekskl. moms)
Kr. 996,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,266 | Kr. 798,00 |
| 9000 - 42000 | Kr. 0,216 | Kr. 648,00 |
| 45000 + | Kr. 0,199 | Kr. 597,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2828
- Producentens varenummer:
- DMN2310UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.45W | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.45W | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS